DSEI12-10A, Rectifiers 1000V 12A
![Фото 1/4 DSEI12-10A, Rectifiers 1000V 12A](https://static.chipdip.ru/lib/787/DOC043787209.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC022955022.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/861/DOC035861965.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/132/DOC041132373.jpg)
1 850 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 810 ֏
от 500 шт. —
1 630 ֏
50 шт.
на сумму 92 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers
Описание Диод: выпрямительный; THT; 1кВ; 12А; Упаковка: туба; TO220AC; 50нс Характеристики Категория | Диод |
Тип | высоковольтный |
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 12A |
Maximum Forward Voltage Drop | 2.7V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AC |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 80A |
Peak Reverse Recovery Time | 60ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Switching |
Case | TO220AC |
Features of semiconductor devices | fast switching |
Heatsink thickness | 2.29…2.79mm |
Kind of package | tube |
Load current | 12A |
Manufacturer | IXYS |
Max. forward impulse current | 75A |
Max. forward voltage | 2.7V |
Max. off-state voltage | 1kV |
Mounting | THT |
Power dissipation | 78W |
Reverse recovery time | 50ns |
Semiconductor structure | single diode |
Technology | FRED |
Type of diode | rectifying |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DSEI12-10A
pdf, 204 КБ