DTC114EKAT146, TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Фото 1/4 DTC114EKAT146, TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75580 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 500 шт.15 ֏
от 1000 шт.14 ֏
50 шт. на сумму 900 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8027275446
Бренд: Rohm

Описание

Описание Транзистор биполярный, NPN 0.1A 50В SC59 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № DTC114EKA
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 50 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DTC114EKA
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-59-3
Ширина 1.6 mm
Base Product Number DTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package SMT3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 50mA
Pd - Power Dissipation 200mW
кол-во в упаковке 3000
Base-Emitter Resistor 10kΩ
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum DC Current Gain 30
Number of Elements per Chip 1
Package Type SMT
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Input Resistor 10 kΩ
Typical Resistor Ratio 1
Configuration Single
Lead Finish Tin/Silver/Copper
Max Processing Temp 260I265
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -55 to 150 °C
Peak DC Collector Current 100 mA
Type NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DTC114E
pdf, 2355 КБ
Datasheet DTC114EKAT146
pdf, 1217 КБ
Datasheet DTC114EKAT146
pdf, 2361 КБ
Документация
pdf, 1204 КБ
Документация
pdf, 4052 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг