RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2975 шт., срок 8 недель
414 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
335 ֏
от 100 шт. —
264 ֏
от 500 шт. —
219 ֏
3 шт.
на сумму 1 242 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
30V 12A 8.8mΩ@12A,10V 2.5V@1mA 1PCSNChannel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Case | HSMT8 |
| Drain current | 27A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 10nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 13.8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 15W |
| Pulsed drain current | 48A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.8mΩ@12A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 2W;16W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг