D5V0H1U2LP-7B, TVS DIODE 5.5VWM 14VC DFN1006-2
![Фото 1/2 D5V0H1U2LP-7B, TVS DIODE 5.5VWM 14VC DFN1006-2](https://static.chipdip.ru/lib/521/DOC006521309.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC021571317.jpg)
75 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
53 ֏
от 5000 шт. —
43 ֏
100 шт.
на сумму 7 500 ֏
Описание
Диоды для подавления переходных скачков напряжения / подавители ЭСР
Технические параметры
Cd - емкость диода | 190 pF |
Iпи - пиковый импульсный ток | 30 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Pppm - пиковое рассеивание мощности | 420 W |
Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре | 30 kV |
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте | 30 kV |
Категория продукта | Диоды для подавления переходных скачков напряжения |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение пробоя | 6.2 V |
Напряжение фиксации | 14 V |
Подкатегория | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность | Unidirectional |
Рабочее напряжение | 5.5 V |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Тип выводов | SMD/SMT |
Тип продукта | TVS Diodes |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1006-2 |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальное Фиксированное Напряжение | 14В |
Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
Стиль Корпуса Диода | X1-DFN1006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 284 КБ
Datasheet D5V0H1U2LP-7B
pdf, 282 КБ