BC848A-7-F, TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

BC848A-7-F, TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт.44 ֏
100 шт. на сумму 10 200 ֏
Номенклатурный номер: 8028100733
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC848A
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BC848 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 300MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V

Техническая документация

BC846...BC848
pdf, 299 КБ
Datasheet
pdf, 296 КБ