2DB1184Q-13, TRANS PNP 50V 3A TO252-3

Фото 1/2 2DB1184Q-13, TRANS PNP 50V 3A TO252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
278 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.225 ֏
от 500 шт.176 ֏
10 шт. на сумму 2 780 ֏
Номенклатурный номер: 8028101347
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 15000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.4 mm (Max)
Длина 6.8 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 120
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 110 MHz
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 2500
Серия 2DB11
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel
Упаковка / блок DPAK-3
Ширина 6.2 mm (Max)

Техническая документация

2DB1184
pdf, 338 КБ