BCX5216TA, TRANS PNP 60V 1A SOT89-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
88 ֏
Кратность заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 8 800 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCX52 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |