FDS4675, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -11А, 2,4Вт, SO8
![Фото 1/2 FDS4675, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -11А, 2,4Вт, SO8](https://static.chipdip.ru/lib/750/DOC043750274.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545339.jpg)
1 540 ֏
от 10 шт. —
1 190 ֏
1 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -11А, 2,4Вт, SO8 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | SO8 |
Drain current | -11A |
Drain-source voltage | -40V |
Gate charge | 56nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 21mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2.4W |
Technology | PowerTrench® |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 169 КБ