FDMC9430L-F085, Транзистор: N-MOSFET
![FDMC9430L-F085, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC029467138.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
от 10 шт. —
970 ֏
от 30 шт. —
880 ֏
1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | Power-33-8 |
Part # Aliases: | FDMC9430L_F085 |
Pd - Power Dissipation: | 11.4 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 22 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.5 mOhms |
Series: | FDMC9430L_F085 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SyncFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 487 КБ