FCX555TA, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
427 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
317 ֏
от 50 шт. —
278 ֏
от 250 шт. —
202 ֏
3 шт.
на сумму 1 281 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 700 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FCX55 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Collector Current (Ic) | 700mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 180V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@250mA, 25mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FCX555TA
pdf, 239 КБ