RF4E080GNTR, Диод: выпрямительный
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 8 недель
800 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
352 ֏
от 250 шт. —
302 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 5.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Время спада | 2.4 ns |
| Другие названия товара № | RF4E080GN |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RF4E080GN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.9 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN2020-8 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RF4E080GNTR
pdf, 1444 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг