IXFP26N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 26А, Idm: 36А, 460Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 000 ֏
от 3 шт. —
8 800 ֏
от 10 шт. —
7 100 ֏
от 50 шт. —
6 200 ֏
1 шт.
на сумму 11 000 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 26А, Idm: 36А, 460Вт, TO220AB
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 26A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 45nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 460W |
| Pulsed drain current | 36A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2 |