R6030JNZ4C13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
595 шт., срок 8 недель
11 000 ֏
от 3 шт. —
8 500 ֏
от 10 шт. —
6 700 ֏
от 30 шт. —
5 600 ֏
1 шт.
на сумму 11 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 600V N-CH 30A POWER
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Pd - рассеивание мощности | 370 W |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 143 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 26 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | BM14270MUV-LB |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | R6030 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 15V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 143mOhm @ 15A, 15V |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 5.5mA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.11Ом |
| Power Dissipation | 93Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
| Рассеиваемая Мощность | 93Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.11Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 7V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 370 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247G |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 74 nC @ 15 V |
| Width | 5.22mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг