SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2
![SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2](https://static.chipdip.ru/lib/385/DOC042385991.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2430 шт., срок 8 недель
1 240 ֏
от 5 шт. —
800 ֏
от 25 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
520 ֏
1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
Case | SOP8 |
Drain current | 4.5A |
Drain-source voltage | 60V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 7nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 77mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2W |
Pulsed drain current | 18A |
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Вес, г | 0.1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг