PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET

PJA3416AE-R1, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2915 шт., срок 8 недель
238 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.128 ֏
от 100 шт.102 ֏
от 500 шт.79 ֏
5 шт. на сумму 1 190 ֏
Номенклатурный номер: 8029434152

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case SOT23
Drain current 6.5A
Drain-source voltage 20V
Gate charge 8.6nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer PanJit Semiconductor
Mounting SMD
On-state resistance 34mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25W
Pulsed drain current 32A
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.01

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг