FDMA908PZ, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 ֏
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
21 шт.
на сумму 27 720 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 71 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | MicroFET-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms |
| Rise Time: | 12 ns |
| Series: | FDMA908PZ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 131 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.01Ом |
| Power Dissipation | 2.4Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 600мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 2.4Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.01Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | MicroFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 W, 900 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | MicroFET 2x2 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Width | 2.05mm |