2SC5964-TD-E, 50V 3.5W 200@100mA,2V 3A NPN SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
418 ֏
от 30 шт. —
352 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V, 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV, 100 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A, 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 390 MHz, 380 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SC5964 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | PCP-3 |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | -50 V, 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V, 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -125 mV, 100 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -3 A, 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V, 6 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 390 MHz, 380 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PCP-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC5964 |
Transistor Polarity | NPN, PNP |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PCP |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SC5964-TD-E
pdf, 319 КБ