BDV65BG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 630 ֏
1 шт.
на сумму 1 630 ֏
Описание
Электроэлемент
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000hFE; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Av Current Ic:12A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Continuous Collector Current Ic Max:12A; Current Ic Continuous a Max:12A; Current Ic hFE:5A; Device Marking:BDV65B; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:1000; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:125W; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:100V
Технические параметры
Collector Current (DC) | 10(A) |
Collector-Base Voltage | 100(V) |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 1000 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Maximum Collector Cut-off Current | 400 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 125(W) |
Rad Hardened | No |
DC Ток Коллектора | 10А |
DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | TO-247 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 100В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 112 КБ
Документация
pdf, 243 КБ