2SB1182TLQ
15 шт. с центрального склада, срок 3 недели
840 ֏
от 2 шт. —
530 ֏
от 10 шт. —
273 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Биполярный (BJT) транзистор PNP 32V 2A 100MHz 10W Surface Mount CPT3
Технические параметры
| Base Part Number | 2SB1182 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 10W |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Base Product Number | 2SB1182 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | - |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Power Dissipation (Pd) | 10W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг