UMD2NTR
427 шт. с центрального склада, срок 3 недели
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
238 ֏
от 50 шт. —
185 ֏
от 100 шт. —
174 ֏
2 шт.
на сумму 968 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
56@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 30 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 56 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Height | 0.9 mm |
Length | 2 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-363-6 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
RoHS | Details |
Series | UMD2N |
Transistor Polarity | NPN, PNP |
Typical Input Resistor | 22 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Width | 1.25 mm |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 500uA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 56@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1426 КБ
Документация
pdf, 1432 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг