DMN32D2LDF-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
273 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт. —
137 ֏
от 100 шт. —
110 ֏
от 500 шт. —
80 ֏
5 шт.
на сумму 1 365 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 1.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 1.2Ом |
| Power Dissipation N Channel | 280мВт |
| Power Dissipation P Channel | 280мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 400мА |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 400мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 400мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 280мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-353 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |
| Вес, г | 1 |