KSC1008CYTA, 60V 800mW 700mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
383 ֏
от 10 шт. —
300 ֏
1 шт.
на сумму 383 ֏
Описание
Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Другие названия товара № | KSC1008CYTA_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.7 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | KSC1008 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Ширина | 3.93 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 700 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 8 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 700мА |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Power Dissipation | 800мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | KSC1008 |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Частота Перехода ft | 30МГц |
| Вес, г | 0.28 |