BCW32LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 32В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 ֏
от 100 шт. —
12 ֏
1 шт.
на сумму 14 ֏
Описание
Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 32V NPN
Технические параметры
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BCW32L |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 32В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation | 225мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.03 |