FOD817CSD, Опто транзистор x1 min.5.0кВ 70В 0.05A Кус=200…400% 0.2Вт -55...+110C

Фото 1/3 FOD817CSD, Опто транзистор x1 min.5.0кВ 70В 0.05A Кус=200…400% 0.2Вт -55...+110C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
128 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 640 ֏
Посмотреть аналоги10
Номенклатурный номер: 8031305669

Описание

Описание Оптопара транзисторная FOD817CSD от производителя ONSEMI представляет собой высококачественный компонент для создания надежной гальванической развязки в электронных схемах. С CTR@If в диапазоне 200-400% при 5мА, одноканальный выход и максимальным выходным напряжением 70 В, этот товар обеспечивает высокую производительность. Время включения и выключения составляет всего 4 мкс, что обеспечивает быстродействие. Напряжение изоляции достигает 5 кВ, гарантируя безопасность в различных областях применения. Монтаж SMD облегчает интеграцию в современные электронные устройства. FOD817CSD подходит для широкого спектра приложений, требующих надежной изоляции и быстрого переключения. Характеристики
Категория Оптопара
Тип транзисторная
CTR@If 200-400%@5mA
Вид выхода транзистор
Кол-во каналов 1
Выходное напряжение макс., В 70
Время включения, мкс 4
Время выключения, мкс 4
Напряжение изоляции, кВ 5
Монтаж SMD

Технические параметры

Input Type DC
Lead Finish Matte Tin
Max Processing Temp 260
Maximum Collector Current 50 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 200 mV
Maximum Collector Emitter Voltage 70 V
Maximum Current Transfer Ratio @ Current 400%
Maximum Fall Time 18 us
Maximum Forward Voltage 1.4 V
Maximum Input Current 50 mA
Maximum Power Dissipation 200 mW
Maximum Reverse Voltage 6 V
Maximum Rise Time 18 us
Minimum Isolation Voltage 5000 Vrms
Mounting Surface Mount
Number of Channels per Chip 1
Operating Temperature -55 to 110 °C
Output Type DC
Typical Forward Voltage 1.2 V
CTR@If 200-400%@5mA
Вид выхода транзистор
Время включения, мкс 4
Время выключения, мкс 4
Выходное напряжение макс., В 70
Кол-во каналов 1
Монтаж SMD
Напряжение изоляции, кВ 5
Тип транзисторная
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 528 КБ
FOD817, FOD814
pdf, 717 КБ