2SC4083T106N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2100 шт., срок 8 недель
1 190 ֏
от 25 шт. —
970 ֏
от 50 шт. —
750 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Other\Electronics\Components
Биполярные транзисторы - BJT NPN 11V 50MA SOT-323
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.8 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | 2SC4083 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SC4083 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.25 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 11V |
Maximum DC Collector Current | 50mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet 2SC4083T106N
pdf, 1101 КБ
Datasheet 2SC4083T106N
pdf, 1110 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг