BSV52LT1G, NPN Bipolar Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 159 000 ֏
Описание
Other\Electronics\Components
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 12V Switching NPN
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 225 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSV52L |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вид | NPN |
Тип | биполярный |