DMN1019USN-7, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Описание 12V 9.3A 680mW 10mOhm@4V,9.7A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.35V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V |
| Width | 1.7mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Power Dissipation | 680мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Непрерывный Ток Стока | 9.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 680мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-59 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet DMN1019USN-7
pdf, 307 КБ