FDPF55N06, Транзистор: N-MOSFET
![FDPF55N06, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299179.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 940 ֏
от 3 шт. —
1 500 ֏
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 50 шт. —
990 ֏
1 шт.
на сумму 1 940 ֏
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
Power Dissipation | 48Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 55А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet FDPF55N06
pdf, 1523 КБ