FDG6322C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
580 ֏
от 10 шт. —
454 ֏
от 100 шт. —
377 ֏
2 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
The FDG6322C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
• Very small package outline
• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
• Gate-source Zener for ESD ruggedness
Технические параметры
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 2.6Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 2.6Ом |
| Power Dissipation N Channel | 300мВт |
| Power Dissipation P Channel | 300мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 25В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 220мА |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 220мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 220мА |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 850мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 220 mA, 410 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.9 Ω, 7 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.29 nC @ 4.5 V, 1.1 nC @ 5 V |
| Width | 1.25mm |