2SK3018T106
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт. с центрального склада, срок 3 недели
440 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
198 ֏
от 10 шт. —
124 ֏
2 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения4
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 80 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SK3018 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Rise Time | 35 ns |
| Series | 2SK3018 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Техническая документация
Datasheet 2SK3018T106
pdf, 145 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг