BYW51-200G, Диод: импульсный, THT, 200В, 2x8А, туба, Ifsm: 100А, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Diodes\Diodes - General Purpose
Технические параметры
Diode Configuration | Dual Common Cathode |
Forward Voltage (Vf@If) | 890mV@8A |
Rectified Current | 8A |
Reverse Leakage Current | 3.8uA@200V |
Reverse Voltage (Vr) | 200V |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Ultrafast Rectifiers |
Maximum Continuous Forward Current | 16A |
Maximum Forward Voltage Drop | 970mV |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | TO-220AB |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 100A |
Peak Reverse Recovery Time | 35ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 200V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | General Purpose |
Вес, г | 2.02 |