RJH65T14DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT ТО-247А-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. с центрального склада, срок 9-11 дней
2 290 ֏
1 шт.
на сумму 2 290 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Микросхемы
TO-247AC-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 250ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 1.75V@15V, 50A |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 80nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 125ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.2mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 38ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.3mJ |
| Type | - |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 290 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 1 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 5 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг