DDTC115EUA-7-F, Транзистор цифровой 1 NPN с предварительным смещением, 200мВт, 100 мА, 50 В SOT-323-2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
66 ֏
10 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K100K
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DDTC115 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 363 КБ