2SD2444KT146R, TRANS NPN 15V 1A SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1500 шт., срок 8-10 недель
150 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт.
на сумму 75 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DVR NPN 15V 1A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2444K |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
Техническая документация
Datasheet 2SD2444KT146R
pdf, 1638 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг