DTA114EU3T106, PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150000 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 3000 шт. —
18 ֏
500 шт.
на сумму 20 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323;SC-70;UMT3
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 50 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | - 100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | - 100 mA |
Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Output Voltage | - 100 mV |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Peak DC Collector Current | - 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
Линейка Продукции | DTA114E Series |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2186 КБ
Datasheet DTA114EU3T106
pdf, 1399 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг