2SCR502U3HZGT106, TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 8-10 недель
110 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 1000 шт. —
97 ֏
500 шт.
на сумму 55 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 360МГц |
Техническая документация
Datasheet 2SCR502U3HZGT106
pdf, 1418 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг