BC857BU3T106, TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8-10 недель
75 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 1000 шт. —
71 ֏
от 3000 шт. —
66 ֏
500 шт.
на сумму 37 500 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 210hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 210hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 250МГц |
Техническая документация
Datasheet BC857BU3T106
pdf, 1716 КБ
Datasheet BC857BU3T106
pdf, 1760 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг