UMD3NFHATR, PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
![Фото 1/2 UMD3NFHATR, PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH](https://static.chipdip.ru/lib/620/DOC044620192.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC006589120.jpg)
12000 шт., срок 8-10 недель
36 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 108 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP+NPN DIGITAL TRANS
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 0.1 V, 0.1 V |
Другие названия товара № | UMD3NFHA |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA, 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
кол-во в упаковке | 100 |
Техническая документация
Datasheet UMD3NFHATR
pdf, 1581 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг