QS6M3TR, MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
14068 шт., срок 8-10 недель
159 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 100 шт. —
146 ֏
от 500 шт. —
132 ֏
от 1000 шт. —
127 ֏
6 шт.
на сумму 954 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Массив Mosfet N и P-канал 30 В, 20 В, 1,5 А, 1,25 Вт, поверхностный монтаж TSMT6 (SC-95)
Технические параметры
| Base Product Number | *M3 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@1.5A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V;20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 80pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.6nC@4.5V |
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 84 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг