IMX9T110, TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
100 шт., срок 8-10 недель
49 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 100 шт. —
42 ֏
18 шт.
на сумму 882 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN 20V 500MA
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@500mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 560@10mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | 2 NPN |
| Transition Frequency (fT) | 350MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 560 |
| DC Current Gain hFE Max: | 2700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 12 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 350 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IMX9 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
ROHM Semicon IMX9T110
pdf, 141 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг