FFSD1065A, 650V 10A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 510 ֏
1 шт.
на сумму 2 510 ֏
Описание
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 18A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 760A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 3 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 382 КБ