RJP020N06T100, MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 шт., срок 8-10 недель
203 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 100 шт. —
190 ֏
от 500 шт. —
172 ֏
5 шт.
на сумму 1 015 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор N-CH 60V 2.5A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Другие названия товара № | RJP020N06 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | RJP020N06 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
Техническая документация
Datasheet RJP020N06T100
pdf, 883 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг