RTR030P02HZGTL, MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
![Фото 1/3 RTR030P02HZGTL, MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC006573128.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131568.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/410/DOC031410209.jpg)
129000 шт., срок 8-10 недель
163 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 489 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор -20V P-CHANNEL -3A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 20 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SC-96-3 |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.055Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 3А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.055Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-346T |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг