RV1C002UNT2CL, MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31400 шт., срок 8-10 недель
88 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
62 ֏
от 8000 шт. —
49 ֏
100 шт.
на сумму 8 800 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
МОП-транзистор Nch Small Signal МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 150 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Другие названия товара № | RV1C002UN |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RV1C002UN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-0806-3 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 110 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DFN0806-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | RV1C002UN |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Rise Time | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RV1C002UN |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DFN0806-3 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.15 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | VML |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 12@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1587 КБ
Datasheet
pdf, 1632 КБ
Datasheet RV1C002UNT2CL
pdf, 1622 КБ
Документация
pdf, 1646 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг