RTL035N03TR, MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 шт., срок 8-10 недель
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 500 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор N-CH 30V 3.5A TUMT6
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 4.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 0.77 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | RTL035N03 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RTL035N03 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.7 mm |
Техническая документация
Datasheet RTL035N03TR
pdf, 1593 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг