IMH11AT110, TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
![Фото 1/2 IMH11AT110, TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6](https://static.chipdip.ru/lib/576/DOC006576601.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/527/DOC014527369.jpg)
3 шт., срок 8-10 недель
304 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
3 шт.
на сумму 912 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | IMH11A |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IMH11A |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Ширина | 1.6 mm |
Base Product Number | *MH11 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Power - Max | 300mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | SMT6 |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | IMH11A |
Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series | IMH11A |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Техническая документация
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1477 КБ
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1473 КБ
Datasheet IMH11AT110
pdf, 1473 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг