2SD2704KT146, TRANS NPN 20V 0.3A SMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58099 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 100 шт. —
40 ֏
от 500 шт. —
36 ֏
от 1000 шт. —
34 ֏
21 шт.
на сумму 924 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30Vebo;0.3A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SD2704K |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 35 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2704K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | EMT-3 |
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@30mA, 3mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 820@4ma, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 35MHz |
Техническая документация
Datasheet 2SD2704KT146
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг