UMH11NFHATN, NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
9000 шт., срок 8-10 недель
36 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 108 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
30@5mA,5V 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Manufacturer | ROHM Semicon |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Package / Case | SOT-363 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Transistor Type | 2 NPN pre-biased(double) |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1064 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг