EMH11T2R, TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 100 шт. —
35 ֏
22 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
| Base-Emitter Resistor | 10kΩ |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-563 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Transistor Type | NPN |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | EMT-6 |
| Part # Aliases: | EMH11 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | EMH11 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг