2SD1949T106Q, TRANS NPN 50V 0.5A UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1184 шт., срок 8-10 недель
62 ֏
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
14 шт.
на сумму 868 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.5A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD1949 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Ширина | 1.25 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1667 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг